替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片

快科技9月(yuè)20日消息，据媒体报道，长江存储在面临美国出口限制(zhì)和被列(liè)入实体清单的(de)双重压力下，已成(chéng)功采用国产半导体设备替代部(bù)分美系设备(bèi)。

长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层(céng)数(shù)堆(duī)叠到232层，即(jí)使与美光、三星和SK海力士等知(zhī)名制造(zào)商(shāng)相比，也具有极强的竞(jìng)争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北(běi)方(fāng)华创的沉积与蚀(shí)刻设备，以及拓荆科技的沉(chén)积(jī)设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。

替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片cms-style="font-L">TechInsights称(chēng)，虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应(yīng)商提供关键工具，但中(zhōng)国国产替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片半导(dǎo)体设备(bèi)供应商越来越多地承担了(le)生产流程的(de)大部(bù替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片)分。

不过长江(jiāng)存储使用国产设备生产的最新NAND芯片(piàn)在堆叠层数上做了相(xiāng)应的(de)妥协，比早期产品少了约70层，且产量较低。

对(duì)此长江存(cún)储(chǔ)在回应中表示，公(gōng)司正在不断优化产品性能，层数变化与设备产量无关，随着制(zhì)造(zào)工(gōng)艺、流程及经验的(de)不断(duàn)成熟，会不断(duàn)增加堆叠(dié)层数。

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